先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
待確認:失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?;測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?工程條件
確認條件,準備下一步。
針對「元件功能/燒機與應力測試異常」,補充會改變評估順序的資訊,並檢查每個候選的依據與限制。
工程條件
用4個關鍵條件,看看評估順序如何改變。
先核對失敗模式、測試覆蓋、接觸與實際元件溫度,再準備可重複的功能測試與失效定位。 未知條件維持待確認;可評估不代表方案合格或已找到根因。
問題與流程
量測與對照
所有路徑的條件判斷
即時變化
目前評估順序
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
待確認:失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?;測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?;實際元件溫度、供電與冷卻歷程是否可比較?先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
待確認:失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?;測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?;是否有可重測的失敗與正常元件及位置記錄?候選方案
條件改變後的目前判斷
此區只依你確認的條件調整評估順序;公開資料不能證明方案適用於實際樣品。
有新的測試結果?更新判讀
已有一輪受控對照時,依實際結果安排下一步。
單一趨勢、恢復或共變不能證明根因、排除其他失效或保證量產結果。
目前判斷與下一步
依自述條件與公開資料整理;可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
已知條件 · 0
重要的未知條件 · 4
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?保存原始 pass/fail、電性指標與對照元件;不能只比較最終良率。
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?確認治具、socket/探針、量測範圍與測試覆蓋;ATE 與 SLT 不可視為相同測試。
- 實際元件溫度、供電與冷卻歷程是否可比較?設定溫度不等於接面溫度;保留自熱、冷卻、電壓與安全限制。
- 是否有可重測的失敗與正常元件及位置記錄?先保存不可逆損傷前證據;沒有正常對照時不能將重測通過當成已找到根因。
值得評估的路徑
失敗模式與測試可觀察性
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?
哪些條件會改變這條路徑
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?支持先評估: 已有可追溯資料 · 目前不適合: 範圍不符或資料不可比較
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?支持先評估: 已有可追溯資料 · 目前不適合: 範圍不符或資料不可比較
實際溫度/供電與應力控制
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?
- 實際元件溫度、供電與冷卻歷程是否可比較?
哪些條件會改變這條路徑
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?支持先評估: 已有可追溯資料 · 目前不適合: 範圍不符或資料不可比較
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?支持先評估: 已有可追溯資料 · 目前不適合: 範圍不符或資料不可比較
- 實際元件溫度、供電與冷卻歷程是否可比較?支持先評估: 已有可追溯資料 · 目前不適合: 範圍不符或資料不可比較
接下來先做
尚未提供結果;先補關鍵條件,再安排評估。
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?
準備這些資料
- 原廠列出邏輯、記憶體、光子與功率元件,以及晶圓、面板、裸晶和模組測試;實際可用的偏壓、溫度、功率與測試方式取決於 DUT、接觸器及系統配置。 元件形式、接腳及載具相容性 測試圖樣、內建測試、門檻及逐顆基線 實際偏壓、電流、溫度、時間與對照樣品
- 原廠列出工程開發、終測、burn-in 與系統級測試,並支援 Cohu 取放式 handler 整合。CPU、GPU、ASIC 加速器及網路處理器的可用功耗與溫度窗口,需依熱頭和系統配置確認。 元件功率波形與已校準的溫度回授 熱頭、接觸界面與測試機相容性 設定值、瞬態、逐站溫度及參考樣品
討論時先問
- 失敗指標、workload、電壓與時點是否可追溯?
- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?
公開參考來源
Aehr Test Systems · FOX-XP 晶圓/裸晶/模組 burn-in 與測試 ↗適用邊界 系統功率上限、接觸器容量與各通道資源不代表同一配置可同時達成所有最大值。Burn-in 可揭露或篩選電性失效,不能單獨定位物理根因,也不保證特定可靠度或良率。 評估準備 BLNKK 建議整理 DUT 形式、腳位與接觸載具、測試向量或 BIST、失效判準、初始電性,以及偏壓、電流、溫度和持續時間;並保留接觸與應力誤差的檢查紀錄。 向供應商確認 請確認 DUT/接觸器相容性、可用測試覆蓋與電性資源、功率配置和實際接面溫度量測方式,以及失效記錄、接觸檢查和是否需選配自動對位。
Cohu · T-Core 高功率 IC 主動溫控測試系統 ↗適用邊界 加熱器或熱頭感測值不一定等於元件接面溫度,且 1 ms 控制迴路不代表接面可在 1 ms 內達到設定值。功耗、斜率與溫度規格需依熱頭、接觸界面和配置確認,也不構成封裝可靠度保證。 評估準備 BLNKK 建議整理元件與封裝尺寸、瞬態功率波形、可用溫度回授、測試座/熱頭接觸與介面材料、設定值及允許偏差,並提供已校準的參考溫度與電性結果。 向供應商確認 請確認熱頭與 handler/測試機相容性、接面溫度推估或量測方式、穩態與瞬態驗收條件、接觸/測試座受力,以及所選配置可處理的功耗和溫度範圍。
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相關方案
5個候選方案
FOX-XP 晶圓/裸晶/模組 burn-in 與測試
Aehr Test Systems
晶圓、裸晶及模組的通電測試與老煉平台,可記錄受控應力下的電性漂移或失效;需排除接觸與應力設定誤差。
依據:產品頁與 FOX-XP Rev C 簡介列出最多 18 個 WaferPak 或 9 個 DiePak blade,系統單晶圓功率最高 3500 W。產品頁另列 WaferPak 接觸器最高 2 kW,兩者需依配置分別確認。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 原廠列出邏輯、記憶體、光子與功率元件,以及晶圓、面板、裸晶和模組測試;實際可用的偏壓、溫度、功率與測試方式取決於 DUT、接觸器及系統配置。
- 元件形式、接腳及載具相容性
- 測試圖樣、內建測試、門檻及逐顆基線
- 實際偏壓、電流、溫度、時間與對照樣品
- 適用邊界 系統功率上限、接觸器容量與各通道資源不代表同一配置可同時達成所有最大值。Burn-in 可揭露或篩選電性失效,不能單獨定位物理根因,也不保證特定可靠度或良率。 評估準備 BLNKK 建議整理 DUT 形式、腳位與接觸載具、測試向量或 BIST、失效判準、初始電性,以及偏壓、電流、溫度和持續時間;並保留接觸與應力誤差的檢查紀錄。 向供應商確認 請確認 DUT/接觸器相容性、可用測試覆蓋與電性資源、功率配置和實際接面溫度量測方式,以及失效記錄、接觸檢查和是否需選配自動對位。
- 老煉不能單獨定位物理根因
- 測試資源、接觸配置及實際結溫需確認
T-Core 高功率 IC 主動溫控測試系統
Cohu
元件功率或二極體回授溫控,可協助排除測試中的非預期結溫偏移;它是應力控制元件,需搭配完整電測。
依據:現行 T-Core 頁列出最高 800 W 功耗管理、1 ms 閉迴路控制及最高 100°C/s 溫度斜率;2020 產品資料將 ±1°C 精度標在加熱器位置。2025 年 9 月 Eclipse 公告另列最高 3 kW,不能套用到所有配置。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 原廠列出工程開發、終測、burn-in 與系統級測試,並支援 Cohu 取放式 handler 整合。CPU、GPU、ASIC 加速器及網路處理器的可用功耗與溫度窗口,需依熱頭和系統配置確認。
- 元件功率波形與已校準的溫度回授
- 熱頭、接觸界面與測試機相容性
- 設定值、瞬態、逐站溫度及參考樣品
- 適用邊界 加熱器或熱頭感測值不一定等於元件接面溫度,且 1 ms 控制迴路不代表接面可在 1 ms 內達到設定值。功耗、斜率與溫度規格需依熱頭、接觸界面和配置確認,也不構成封裝可靠度保證。 評估準備 BLNKK 建議整理元件與封裝尺寸、瞬態功率波形、可用溫度回授、測試座/熱頭接觸與介面材料、設定值及允許偏差,並提供已校準的參考溫度與電性結果。 向供應商確認 請確認熱頭與 handler/測試機相容性、接面溫度推估或量測方式、穩態與瞬態驗收條件、接觸/測試座受力,以及所選配置可處理的功耗和溫度範圍。
- 單一溫控系統不能提供完整功能測試或根因分析
- 熱頭感測器溫度可能不同於實際結溫
AMPS 高功率平行燒機測試
AEM Holdings
以元件獨立控制的高電壓應力與熱管理比較 burn-in 篩選;不等同功率循環熱阻量測。
依據:官網與 AMPS-BI 型錄公開平行電性應力、多區溫控和元件獨立控制架構。這些是設備能力資料,尚非使用者產品的篩選覆蓋率、接面溫度或可靠度資格驗證。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 面向 AI 處理器、HPC 與其他高功率先進封裝的燒機測試。功率、電流、通道、封裝與接觸方式需按配置確認,系統級測試等擴充不宜預設包含。
- 提供 DUT/封裝與安全電壓上限、workload/測試覆蓋,以及接面或殼溫的量測方法。
- 確認接觸/散熱均勻性,準備參考篩選條件與失敗門檻。
- 適用邊界 燒機篩選不等於完整可靠度資格,也不直接量測功率循環的熱阻劣化。最高功率、電流與通道數不能預設同時適用;溫控值是否代表接面溫度需確認。 評估準備 BLNKK 建議準備封裝尺寸、插座/接點需求、電性程序、功耗變化和目標應力時間。補充溫度量測基準、篩選覆蓋率及失效判定,便於規劃配置驗證。 向供應商確認 確認可同時運作的元件數、每顆功率/電流/通道配置,以及控溫位置與接面溫度關係。另確認接觸可靠度、程序切換、記錄追溯及需要額外選配的功能。
- Burn-in 不保證現場壽命,測試應力可能產生不同機制;需另做目標界面分析。
3210-A/3200 高功率封裝系統級測試
Chroma ATE
以工程 SLT 先確認實際 workload、接觸與熱管理,再比對量產條件;未保證所有缺陷可觀察。
依據:Chroma 2025 及 2026 年官方公告分別說明 3210-A 工程平台、3200 量產配置及條件轉移流程。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 適合高功率先進封裝 IC 的工程驗證及 SLT 導入;測試板、熱引擎與測試站配置需按元件選擇。
- 提供 DUT 的功能 workload、DFT/失敗可見性、測試板/socket 接觸與施力資料。
- 準備功率/溫控、實驗室至量產條件對照,以及良/不良樣品。
- 適用邊界 測試涵蓋率取決於程式與工作負載;SLT 不會自行定位所有內部缺陷,也不等於完成封裝可靠度驗證。 評估準備 BLNKK 建議準備實際工作負載與功率波形、測試板及接點、溫度回授、失效記錄及量產站數需求。 向供應商確認 請確認 3210-A 與 3200 各自的熱引擎、接觸與程式相容性,以及工程條件轉移後的逐站校準及失效可觀察性。
- SLT 覆蓋需驗證,不能單獨定位所有封裝缺陷;平台規模不等於可靠度認證。
UltraFLEXplus SoC 電性測試平台
Teradyne
依測試程式、DFT 可見性與配置量測重現電性失敗;不把 ATE 當成預設 burn-in 或界面影像。
依據:Teradyne 公開不同基礎系統與具名儀器,分別說明供電、數位、SERDES/HSIO 及 RF 能力。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- SoC、處理器與高速介面測試;測試頭、DIB、接觸與儀器資源須按元件及程式配置。
- 提供 DUT pinout、DFT/測試程式、量測資源配置及 DIB/接觸校正。
- 準備功率與散熱需求、良品參考和功能/參數失敗門檻。
- 適用邊界 各儀器規格不是每套系統全含的能力;電性篩檢不能自行診斷裂紋、分層,也不等同完成 burn-in 或可靠度驗證。 評估準備 BLNKK 建議準備測試程式與 DFT 可見性、供電及介面需求、DIB/接觸資料、溫度條件與失效紀錄。 向供應商確認 請確認基礎系統、所選儀器與治具配置、程式相容性及校準,並核對實際測試涵蓋率和失敗重現方式。
- ATE 不是預設 burn-in 系統;可見性取決於程式和 DFT,埋藏缺陷仍需目標物理分析。
仍缺少的證據與適用條件
- 通用 ATE 規格不代表已支援特定 D2D 協定、DFx 或客製 workload。
參考資料
5筆原廠或機構資料
展開查核來源與限制
參考資料
5筆原廠或機構資料
產品頁與 FOX-XP Rev C 簡介列出最多 18 個 WaferPak 或 9 個 DiePak blade,系統單晶圓功率最高 3500 W。產品頁另列 WaferPak 接觸器最高 2 kW,兩者需依配置分別確認。
限制:適用邊界 系統功率上限、接觸器容量與各通道資源不代表同一配置可同時達成所有最大值。Burn-in 可揭露或篩選電性失效,不能單獨定位物理根因,也不保證特定可靠度或良率。 評估準備 BLNKK 建議整理 DUT 形式、腳位與接觸載具、測試向量或 BIST、失效判準、初始電性,以及偏壓、電流、溫度和持續時間;並保留接觸與應力誤差的檢查紀錄。 向供應商確認 請確認 DUT/接觸器相容性、可用測試覆蓋與電性資源、功率配置和實際接面溫度量測方式,以及失效記錄、接觸檢查和是否需選配自動對位。現行 T-Core 頁列出最高 800 W 功耗管理、1 ms 閉迴路控制及最高 100°C/s 溫度斜率;2020 產品資料將 ±1°C 精度標在加熱器位置。2025 年 9 月 Eclipse 公告另列最高 3 kW,不能套用到所有配置。
限制:適用邊界 加熱器或熱頭感測值不一定等於元件接面溫度,且 1 ms 控制迴路不代表接面可在 1 ms 內達到設定值。功耗、斜率與溫度規格需依熱頭、接觸界面和配置確認,也不構成封裝可靠度保證。 評估準備 BLNKK 建議整理元件與封裝尺寸、瞬態功率波形、可用溫度回授、測試座/熱頭接觸與介面材料、設定值及允許偏差,並提供已校準的參考溫度與電性結果。 向供應商確認 請確認熱頭與 handler/測試機相容性、接面溫度推估或量測方式、穩態與瞬態驗收條件、接觸/測試座受力,以及所選配置可處理的功耗和溫度範圍。官網與 AMPS-BI 型錄公開平行電性應力、多區溫控和元件獨立控制架構。這些是設備能力資料,尚非使用者產品的篩選覆蓋率、接面溫度或可靠度資格驗證。
限制:適用邊界 燒機篩選不等於完整可靠度資格,也不直接量測功率循環的熱阻劣化。最高功率、電流與通道數不能預設同時適用;溫控值是否代表接面溫度需確認。 評估準備 BLNKK 建議準備封裝尺寸、插座/接點需求、電性程序、功耗變化和目標應力時間。補充溫度量測基準、篩選覆蓋率及失效判定,便於規劃配置驗證。 向供應商確認 確認可同時運作的元件數、每顆功率/電流/通道配置,以及控溫位置與接面溫度關係。另確認接觸可靠度、程序切換、記錄追溯及需要額外選配的功能。Chroma 2025 及 2026 年官方公告分別說明 3210-A 工程平台、3200 量產配置及條件轉移流程。
限制:適用邊界 測試涵蓋率取決於程式與工作負載;SLT 不會自行定位所有內部缺陷,也不等於完成封裝可靠度驗證。 評估準備 BLNKK 建議準備實際工作負載與功率波形、測試板及接點、溫度回授、失效記錄及量產站數需求。 向供應商確認 請確認 3210-A 與 3200 各自的熱引擎、接觸與程式相容性,以及工程條件轉移後的逐站校準及失效可觀察性。Teradyne 公開不同基礎系統與具名儀器,分別說明供電、數位、SERDES/HSIO 及 RF 能力。
限制:適用邊界 各儀器規格不是每套系統全含的能力;電性篩檢不能自行診斷裂紋、分層,也不等同完成 burn-in 或可靠度驗證。 評估準備 BLNKK 建議準備測試程式與 DFT 可見性、供電及介面需求、DIB/接觸資料、溫度條件與失效紀錄。 向供應商確認 請確認基礎系統、所選儀器與治具配置、程式相容性及校準,並核對實際測試涵蓋率和失敗重現方式。評估前確認
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- 測試程式、DFx/介面與接觸基準是否已確認?
- 實際元件溫度、供電與冷卻歷程是否可比較?
- 是否有可重測的失敗與正常元件及位置記錄?
相關技術問答
- 封裝 SoC 在高溫 workload 測試失敗,怎麼排除接觸與冷卻影響?
