FOCoS 高密度 Fan-Out Chip-on-Substrate
大型 AI／HPC 多晶粒封裝需要密集晶粒互連，並同時評估封裝厚度、電性、翹曲及組裝條件。
ASE
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- FOCoS 高密度 Fan-Out Chip-on-Substrate · 封裝結構與變形補償
- ASE FOPoP 扇出型堆疊封裝 · 封裝結構與變形補償
應用範圍: AI／HPC／ML／ASIC＋HBM · 扇出型垂直封裝整合 · 微凸塊缺陷定位與取樣 · 面板自由／支撐形貌基準
目錄中的方案 · 4
ASE FOPoP 扇出型堆疊封裝
比較堆疊封裝架構與材料選擇，評估互連需求及高溫翹曲的取捨。
ASE 微凸塊與封裝失效分析服務
定位微凸塊冷接、橋接等疑似缺陷，取得影像與取樣證據供失效判讀。
ASE 應力與熱特性量測服務
面板搬運評估，需要製程時點與支撐狀態一致的翹曲／形貌對照。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
- ASE FOPoP 扇出型堆疊封裝 · 大型 2.5D FCBGA 翹曲反轉 →
- FOCoS 高密度 Fan-Out Chip-on-Substrate · 大型 2.5D FCBGA 翹曲反轉 →
- 電性定位後的 RDL 目標物理分析 · 細線多層 RDL 熱循環後出現裂紋或間歇開路 →
- FOCoS 細線 RDL 翹曲與應力模型參考 · 細線多層 RDL 熱循環後出現裂紋或間歇開路 →
- 微凸塊 cold joint／void／bridge 目標分析 · HBM 微凸塊熱壓接合出現 non-wet、冷接或開路 →
- ASE 微凸塊與封裝失效分析服務 · HBM 微凸塊熱壓接合出現 non-wet、冷接或開路 →
- 位置化電性後的微凸塊目標物理分析 · 微凸塊或銅柱在高電流下出現 IR drop 與漸進電阻劣化 →
- SAT 與目標截面介面分析評估 · 吸濕封裝回焊新增分層 →
- ASE 應力與熱特性量測服務 · Fan-out 面板翹曲與吸附搬送窗口 →
- 金屬橋接／殘留目標分析評估 · RDL 製造後線間短路 →
- RDL via 開口／底部目標分析評估 · RDL 層間接觸初始高電阻 →
- 漏電目標與介面分析評估 · 載板濕熱偏壓絕緣漏電 →
- 填銅本體目標分析與取樣評估 · 載板微孔填銅內部空洞 →
- Pad／電性目標對位分析評估 · 混合鍵合 pad 錯位與電性開路 →
- TSV 深度形貌取樣評估 · TSV 填銅 seam 與空洞 →
- TSV Liner 目標截面與材料分析評估 · TSV 絕緣 liner 漏電定位 →
- 脫載殘留目標表面分析評估 · 臨時接合脫載殘留與清潔相容性 →
- IMC 破面／層序目標分析評估 · 焊點 IMC 介面脆性破裂 →
- BGA 分段電性與目標裂紋分析評估 · 板級 BGA 焊點熱循環疲勞 →
- Pad 下板材目標取樣評估 · BGA 跌落板材 pad cratering →
- Flip-chip solder 橋接目標分析評估 · Flip-chip 回焊接點橋接 →
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ASE — Hsinchu Sales
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